دانلود مقاله Analysis and optimization of Tunnel FET with Band gap Engineering در word دارای 4 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد دانلود مقاله Analysis and optimization of Tunnel FET with Band gap Engineering در word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی دانلود مقاله Analysis and optimization of Tunnel FET with Band gap Engineering در word ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن دانلود مقاله Analysis and optimization of Tunnel FET with Band gap Engineering در word :
سال انتشار: 1392
محل انتشار: بیست و یکمین کنفرانس مهندسی برق ایران
تعداد صفحات: 4
چکیده:
in this paper a high performance double gate tunnel field effect transistor (DG-TFET) is proposed. Band gap engineering is achieved in order to improve the device performance. This novelTFET is formed from variable band gap materials with 20 nm channel length to enhance on current and reach to low off-current.With precise selection of mole fraction in materials, and are designated to all region in the device and important characterises of TFET areoptimized. Low sub threshold swing below 60 mv/dec ratio as high as 10
- ۹۵/۱۲/۰۲